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IC FET SGL N-CH 6.5A 65V DPAK - NID6002NT4G - Einzelhalbleiterprodukte
Technische Information
NID6002NT4G
Hersteller
ON Semiconductor
Kategorie
Einzelhalbleiterprodukte
Montagetyp
Oberflächenmontage
Typ FET
N-Kanal
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss)
65V
Strom – Kontinuierlicher Drain (Id) @ 25 °C
6,5A
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C
210 mOhms @ 2A, 10V
Eingangskapazität (Ciss) @ Vds
-
Leistung - max.
1,3W
Verpackung
Band und Spule (Tape and Reel - TR)
Gateaufladung (Qg) @ Vgs
-
Verpackung / Behälter
DPak (TO-252)
Bleifreier Status
Lead Free
RoHS Status
RoHS Compliant
Andere Namen
NID6002NT4G
NID6002NT4G
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IC FET SGL N-CH 6.5A 65V DPAK - NID6002NT4G (NID6002NT4G-ND) - Einzelhalbleiterprodukte
IC FET SGL N-CH 6.5A 65V DPAK - NID6002NT4G (NID6002NT4G-ND) - Einzelhalbleiterprodukte
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