MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK - FQI4N80TU

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Digi-Key Teilenummer

FQI4N80TU-ND

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Hersteller-Teilenummer

FQI4N80TU

Beschreibung

MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK

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MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK - FQI4N80TU - Einzelhalbleiterprodukte

Technische Information	FQI4N80TU
Hersteller	Fairchild Semiconductor
Kategorie	Einzelhalbleiterprodukte
Montagetyp	Durchgangsloch
Typ FET	N-Kanal
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss)	800V
Strom – Kontinuierlicher Drain (Id) @ 25 °C	3,9A
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C	3,6 Ohms @ 1,95A, 10V
Eingangskapazität (Ciss) @ Vds	880pF @ 25V
Leistung - max.	3,13W
Verpackung	Rohr
Gateaufladung (Qg) @ Vgs	25nC @ 10V
Verpackung / Behälter	I² PAK
Bleifreier Status	Lead Free
RoHS Status	RoHS Compliant
Andere Namen	FQI4N80TU FQI4N80TU

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MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK - FQI4N80TU
(FQI4N80TU-ND)

MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK - FQI4N80TU

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