MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK - FQB4N80TM - Einzelhalbleiterprodukte

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Digi-Key Teilenummer

FQB4N80TM-ND

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Hersteller-Teilenummer

FQB4N80TM

Beschreibung

MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK

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MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK - FQB4N80TM - Einzelhalbleiterprodukte

Technische Information	FQB4N80TM
Hersteller	Fairchild Semiconductor
Kategorie	Einzelhalbleiterprodukte
Montagetyp	Oberflächenmontage
Typ FET	N-Kanal
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss)	800V
Strom – Kontinuierlicher Drain (Id) @ 25 °C	3,9A
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C	3,6 Ohms @ 1,95A, 10V
Eingangskapazität (Ciss) @ Vds	880pF @ 25V
Leistung - max.	3,13W
Verpackung	Band und Spule (Tape and Reel - TR)
Gateaufladung (Qg) @ Vgs	25nC @ 10V
Verpackung / Behälter	D² Pak (SMD-220, TO-263)
Bleifreier Status	Lead Free
RoHS Status	RoHS Compliant
Andere Namen	FQB4N80TM FQB4N80TM

Image of MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK - FQB4N80TM

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MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK - FQB4N80TM
(FQB4N80TM-ND) - Einzelhalbleiterprodukte

MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK - FQB4N80TM - Einzelhalbleiterprodukte

MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK - FQB4N80TM (FQB4N80TM-ND) - Einzelhalbleiterprodukte