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MOSFET N-CHAN 100V 100A TO-220 - IPP05CN10N G - Einzelhalbleiterprodukte
Technische Information
IPP05CN10N G
Hersteller
Infineon Technologies
Kategorie
Einzelhalbleiterprodukte
Montagetyp
Durchgangsloch
Typ FET
N-Kanal
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss)
100V
Strom – Kontinuierlicher Drain (Id) @ 25 °C
100A
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C
5,4 mOhms @ 100A, 10V
Eingangskapazität (Ciss) @ Vds
12000pF @ 50V
Leistung - max.
300W
Verpackung
Rohr
Gateaufladung (Qg) @ Vgs
181nC @ 10V
Verpackung / Behälter
TO-220
Bleifreier Status
Lead Free
RoHS Status
RoHS Compliant
Andere Namen
IPP05CN10N G
IPP05CN10N G
IPP05CN10NGIN ND
IPP05CN10NGINND
IPP05CN10NGIN
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
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